NF C96-017-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验.

作者:标准资料网时间:2024-04-29 15:27:47 浏览:9146 来源:标准资料网

【英文标准名称】:Semiconductordevices-Part1:time-dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayers.
【原文标准名称】:半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验.
【标准号】:NFC96-017-1-2011
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2011-06-01
【实施或试行日期】:2011-06-25
【发布单位】:法国标准化协会(FR-AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Checkingequipment;Components;Definitions;Dielectric;Dielectricbreakdown;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Enclosures;Failure;Gates;Heatingchamber;Layers;Life(durability);Semiconductordevices;Stress;Testing;Testingdevices;Time-dependent;Voltage;Voltagestress
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:25P;A4
【正文语种】:其他

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